东芯半导体股份有限公司荣获“2023年度硬核芯”大奖！

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

东芯半导体股份有限公司是大陆领先的存储芯片设计公司，公司产品涵盖 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等主流存储芯片，凭借产品丰富、性能可靠、能耗节省等特点，多款代表公司技术水平的核心产品获得国内外多家知名企业的认可，在工艺制程和产品性能上形成一定优势。

工艺制程方面，公司的 NAND Flash 已具备2xnm 制程的量产能力，并向1xnm 制程进一步迈进。NOR Flash 可实现 48nm 制程量产；DRAM可实现25nm工艺节点的量产。公司将持续针对闪存芯片制程升级开展研发和设计，继续向先进制程工艺推进。

公司作为目前中国大陆的存储芯片设计企业，将继续围绕发展战略和方向，积极应对国际环境及竞争环境变化，立足现有基础和优势，持续加大技术和产品研发投入，提高市场占有率，把握新兴应用领域增量市场，积极推动公司稳定持续发展。

公司高度重视并始终保持高水平研发投入，坚持技术创新，保证公司产品的技术先进性。2022年公司的 SLC NAND Flash量产产品以38nm和2xnm制程为主，并在2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND Flash产品线，部分新产品已达到量产标准，同时公司先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NOR Flash产品在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品。公司也将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司为助力产品多样性发展，持续在DRAM领域进行新产品的研发设计，公司设计研发的LPDDR4X及PSRAM产品均已完成工程样片。在车规产品研发进度方面，公司的SLC NAND Flash以及NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。

2022年，在地缘政治局势紧张、全球经济下滑、半导体行业周期性波动的宏观背景下，公司积极应对挑战，不断精进研发技术实力，持续开发新产品，加强品质与服务管理，开拓新市场与新应用，总体发展稳中有进。2022年，公司实现营业收入11.46亿元，较上年同期增长1.03%；实现归属于上市公司股东的净利润为1.85亿元，实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.65亿元。

东芯半导体股份有限公司始终以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，紧抓住中国集成电路产业发展国产化的良好机遇，以成为国内领先的存储芯片设计企业为目标，致力于给更多客户提供包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP等多产品线全覆盖的存储芯片产品。通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的技术先进性；并在现有应用领域的基础上，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力。